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1SS412

更新时间： 2024-11-21 03:54:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
3页 171K
描述
General-Purpose Rectifier Applications

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1SS412 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-70
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.7
外壳连接：ANODE AND CATHODE配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.1 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL

1SS412 数据手册

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1SS412  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS412  
General-Purpose Rectifier Applications  
Unit: imm  
z Low forward voltage  
z Low reverse current  
z Small total capacitance  
z Small package  
: V = 1.0 V (typ.)  
F
: I = 0.1 nA (typ.)  
R
: C = 3.0 pF (typ.)  
T
: SC-70  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
I
300 *  
100 *  
1 *  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
Power dissipation  
100  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
150  
j
―
JEDEC  
Storage temperature range  
T
−55∼150  
stg  
SC-70  
JEITA  
1-2P1C  
TOSHIBA  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.006 g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Unit rating. Total rating = unit rating × 0.7  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Forward voltage  
Symbol  
Test Condition  
= 100 mA  
F
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
―
―
I
―
―
1.0  
0.1  
1.3  
10  
V
F
Reverse current  
V
V
= 80 V  
nA  
R
R
R
Total capacitance  
(between cathode and anode)  
C
T
―
= 0, f = 1 MH  
―
3.0  
―
pF  
z
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
P9  
1
2007-11-01  
123

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与1SS412相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS412(TE85L,F) TOSHIBA

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 		RECTIFIER DIODES,DOUBLER,85V V(RRM),SC-70
1SS413 SEMTECH

获取价格

 		SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS413 TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Application
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