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1SS406,H3F(T

更新时间： 2024-11-18 14:39:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 210K
描述
0.05A, 25V, SILICON, SIGNAL DIODE

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1SS406,H3F(T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, USC, 1-1E1A, 2 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.65配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.05 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：25 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS406,H3F(T 数据手册

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1SS406  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS406  
High Speed Switching Application  
Unit: mm  
z
z
z
Low forward voltage  
Low reverse current  
Small total capacitance  
: V  
= 0.50V (typ.)  
F (3)  
: I = 0.5μA (max)  
R
: C = 3.9pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse Voltage  
Reverse voltage  
V
25  
20  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
100  
mA  
mA  
A
FM  
I
50  
O
I
1
FSM  
P *  
USC  
Power dissipation  
200  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
125  
j
Storage temperature range  
T
−55 to 125  
stg  
JEDEC  
―
―
JEITA  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
TOSHIBA  
1-1E1A  
Weight: 0.004g(Typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20 mm,  
pad dimension of 4 × 4 mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.33  
0.38  
0.50  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
= 5mA  
= 50mA  
0.55  
0.5  
―
Reverse current  
I
V
V
= 20V  
μA  
R
R
R
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
3.9  
pF  
z
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
A7  
Start of commercial production  
2001-11  
1
2014-03-01  
123

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与1SS406,H3F(T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS412 TOSHIBA

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 		General-Purpose Rectifier Applications
1SS412(TE85L,F) TOSHIBA

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 		RECTIFIER DIODES,DOUBLER,85V V(RRM),SC-70
1SS413 SEMTECH

获取价格

 		SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS413 TOSHIBA

获取价格

 		High Speed Switching Application
1SS413(TL3,T) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.05A, 25V V(RRM), Silicon
1SS413(TL3RENE) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.05A, 25V V(RRM), Silicon
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1SS413CT TOSHIBA

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 		20 V/0.05 A Schottky Barrier Diode, SOD-882(CST2)
1SS416 TOSHIBA

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 		High Speed Switching Application
1SS416(TL3ALPSP) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon

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