XP1401

更新时间： 2024-09-18 21:54:55

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Silicon PNP epitaxial planar type

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XP1401 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-88A	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
元件数量：	2	端子数量：	5
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

XP1401 数据手册

Composite Transistors

XP01401 (XP1401)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

–0.02

0.12

For general amplification

0.20 0.05

■ Features

• Two elements incorporated into one package

(Emitter-coupled transistors)

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

■ Basic Part Number

• 2SB0709A (2SB709A) × 2

10˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

1: Base (Tr1)

2: Emitter

3: Base (Tr2)

EIAJ: SC-88A

4: Collector (Tr2)

5: Collector (Tr1)

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−60

−50

−7

SMini5-G1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_T

−100

−200

°C

Marking Symbol: 5V

Peak collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Internal Connection

150

T_j

150

T_stg

−55 to +150

°C

Tr1

Tr2

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−60

−50

−7

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

h_FEratio ^*

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −20 V, I_E= 0

V_CE= −10 V, I_B= 0

V_CE= −10 V, I_C= −2 mA

− 0.1

−100

460

µA



I_CEO

h_FE

160

h_FE(Small/V_CE= −10 V, I_C= −2 mA

Large)

0.50

0.99

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −100 mA, I_B= −10 mA

− 0.3 − 0.5

MHz

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

Collector output capacitance

C_ob

2.7

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Ratio between 2 elements

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: February 2004

SJJ00145BED

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