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XP1504 PDF预览

XP1504

更新时间： 2024-11-07 22:34:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XP1504 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-88A包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：500
JESD-30 代码：R-PDSO-G5元件数量：2
端子数量：5封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

XP1504 数据手册

 浏览型号XP1504的Datasheet PDF文件第2页 
Composite Transistors  
XP1504  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For amplification of low frequency output  
2.1±0.1  
1.25±0.1  
0.425  
0.425  
Features  
■
5
1
●
Two elements incorporated into one package.  
(Emitter-coupled transistors)  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
2
3
4
●
Basic Part Number of Element  
2SD1938 × 2 elements  
■
●
0.2±0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
1 : Base (Tr1)  
2 : Emitter  
3 : Base (Tr2)  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88A  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
S–Mini Type Package (5–pin)  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Peak collector current  
Total power dissipation  
50  
20  
V
Rating  
of  
element  
Marking Symbol: 5S  
Internal Connection  
25  
V
300  
mA  
mA  
mW  
˚C  
ICP  
500  
Tr1  
1
5
4
PT  
150  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
2
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
3
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCEO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
V
Collector to emitter voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
IC = 1mA, IB = 0  
20  
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCB = 50V, IE = 0  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
VEB = 25V, IC = 0  
Forward current transfer ratio  
VCE = 2V, IC = 4mA  
500  
2500  
0.1  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 30mA, IB = 3mA  
VCE = 2V, IC = 4mA  
V
V
Base to emitter voltage  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
ON Resistance  
VBE  
fT  
0.6  
80  
VCB = 6V, IE = –4mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
MHz  
pF  
Cob  
7
*1  
Ron  
1.0  
Ω
*1  
1kΩ  
R
on  
measuring circuit  
IB=1mA  
f=1kHz  
V=0.3V  
VB  
VA  
VV  
VB  
Ron=  
✕1000(Ω)  
VA–VB  
1
12

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