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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> XP1507TX
XP1507TX PDF预览

XP1507TX

更新时间： 2024-09-19 13:16:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 34K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

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XP1507TX 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：90
JESD-30 代码：R-PDSO-G5元件数量：2
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

XP1507TX 数据手册

 浏览型号XP1507TX的Datasheet PDF文件第2页 
Composite Transistors  
XP1507  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
High breakdown voltage and for low noise amplification  
2.1±0.1  
1.25±0.1  
0.425  
0.425  
Features  
■
5
1
●
Two elements incorporated into one package.  
(Emitter-coupled transistors)  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
2
3
4
●
Basic Part Number of Element  
2SD814 × 2 elements  
■
●
0.2±0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
1 : Base (Tr1)  
2 : Emitter  
3 : Base (Tr2)  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88A  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
S–Mini Type Package (5–pin)  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Peak collector current  
Total power dissipation  
150  
150  
V
Rating  
of  
element  
Marking Symbol: 4O  
Internal Connection  
5
50  
V
mA  
mA  
mW  
˚C  
ICP  
100  
Tr1  
1
5
4
PT  
150  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
2
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
3
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCEO  
Conditions  
min  
150  
5
typ  
max  
Unit  
V
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
IC = 100µA, IB = 0  
VEBO  
ICBO  
hFE  
IE = 10µA, IC = 0  
V
Collector cutoff current  
VCB = 100V, IE = 0  
VCE = 5V, IC = 10mA  
1
µA  
Forward current transfer ratio  
Forward current transfer hFE ratio  
90  
450  
hFE (small/large)*1 VCE = 5V, IC = 10mA  
0.5  
0.99  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 30mA, IB = 3mA  
1
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
150  
2.3  
Collector output capacitance  
*1 Ratio between 2 elements  
Cob  
1
12

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