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XP04506(XP4506)

更新时间： 2024-09-18 23:33:51

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其他 - ETC		晶体晶体管
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3页	489K
描述
Composite Device - Composite Transistors

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XP04506(XP4506) 数据手册

複合トランジスタ

XP04506 (XP4506)

シリコンNPN エピタキシャルプレーナ形

Unit: mm

低周波出力増幅用

+0.05

0.12

–0.02

0.2 ^0.05

特ꢀ長

エミッタ・ベース電圧V_EBOが高い。

直流電流増幅率h_FEが高い。

オン抵抗R_onが小さい。

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

10°

使用素子基本形名

2SD1915F × 2素子

絶対最大定格 (Ta=25˚C)

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

4 : Emitter (Tr2)

5 : Base (Tr2)

項目

記号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

定格

単位

3 : Collector (Tr2)

6 : Collector (Tr1)

SMini6-G1 Package

コレクタ･ベース電圧

コレクタ･エミッタ電圧

エミッタ･ベース電圧

コレクタ電流

せん頭コレクタ電流

全損失

形名表示記号：EN

素子の

定格

内部接続図

300

˚C

I_CP

500

Tr1

P_T

150

総合

接合部温度

保存温度

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Tr2

電気的特性 (Ta=25˚C)

項目

記号

V_CEO

条件

最小

標準

最大

単位

コレクタ･エミッタ電圧

コレクタしゃ断電流

エミッタしゃ断電流

直流電流増幅率

I_C= 1mA, I_B= 0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB= 50V, I_E= 0

0.1

µA

V_EB= 25V, I_C= 0

V_CE= 2V, I_C= 4mA

I_C= 30mA, I_B= 3mA

V_CB= 6V, I_E= –4mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

500

2500

ベース･エミッタ電圧

コレクタ･エミッタ飽和電圧

トランジション周波数

コレクタ出力容量

V_BE

V_CE(sat)

f_T

0.6

0.1

MHz

C_ob

オン抵抗

R_on

Ω

R 測定回路

1kΩ

I_B=1mA

f=1kHz

V=0.3V

V_B

V_A

V_V

V_B

R_on=

×1000(Ω)

V_A–V_B

注)( )内は,従来品番です

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