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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> XP05554
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XP05554

更新时间： 2024-11-29 22:34:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XP05554 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-88
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：90JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：450 MHzBase Number Matches：1

XP05554 数据手册

 浏览型号XP05554的Datasheet PDF文件第2页 
Composite Transistors  
XP05554  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For high speed switching  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
1
6
Features  
For high speed switching.  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
■
2
3
5
4
●
●
.
●
Two elements incorporated into one package.  
Basic Part Number of Element  
2SC3757 × 2 elements  
■
●
0.2±0.1  
1 : Emitter (Tr1)  
2 : Base (Tr1)  
3 : Base (Tr2)  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Emitter (Tr2)  
6 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
S–Mini Type Package (6–pin)  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Peak collector current  
Total power dissipation  
40  
40  
5
V
Rating  
of  
element  
Marking Symbol: HE  
Internal Connection  
V
100  
mA  
mA  
mW  
˚C  
ICP  
300  
Tr1  
1
6
5
4
PT  
150  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
2
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
3
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
IEBO  
hFE  
Conditions  
min  
typ  
max  
0.1  
Unit  
µA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = 15V, IE = 0  
VEB = 4V, IC = 0  
0.1  
µA  
Forward current transfer ratio  
VCE = 1V, IC = 10mA  
IC = 10mA, IB = 1mA  
IC = 10mA, IB = 1mA  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
90  
200  
0.25  
1.0  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
0.17  
V
V
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
fT  
450  
2
MHz  
pF  
ns  
Cob  
ton  
toff  
tstg  
6
17  
17  
10  
Turn-off time  
ns  
Storage time  
ns  
1
12

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