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XP05601(XP5601)

更新时间： 2024-09-22 23:33:51

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其他 - ETC		晶体晶体管
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6页	245K
描述
Composite Device - Composite Transistors

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XP05601(XP5601) 数据手册

複合トランジスタ

XP05601 (XP5601)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形(Tr1部)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形(Tr2部)

Unit : mm

一般増幅用

+0.05

0.12

–0.02

0.2 0.05

■ 特ꢀ長

•

1パッケージに2素子内蔵

実装面積とアセンブリコストの半減が可能

(0.65) (0.65)

■ 基

本品種

1.3 0.1

2.0 0.1

•

2SB0709A (2SB709A) + 2SD0601A (2SD601A)

10˚

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

単位

Tr1

コレクタ・ベース間電圧

V_CBO

−60

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

3 : Base (Tr2)

EIAJ : SC-88

4 : Collector (Tr2)

5 : Emitter (Tr2)

6 : Collector (Tr1)

SMini6-G1 Package

(E 開放時)

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

V_CEO

V_EBO

−50

−7

エミッタ・ベース間電圧

(C 開放時)

形名表示記号 : 4N

コレクタ電流

I_C

I_CP

−100

−200

内部接続図

尖頭コレクタ電流

Tr2

コレクタ・ベース間電圧

V_CBO

(E 開放時)

Tr1

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

V_CEO

V_EBO

Tr2

エミッタ・ベース間電圧

(C 開放時)

コレクタ電流

尖頭コレクタ電流

全許容損失

合温度

I_C

I_CP

P_T

100

200

150

°C

総合

接

T_j

150

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

注) 形名の( )内は，従来品

番です

発行年月 : 2004年2月

SJJ00197BJD

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