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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> XP06211
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XP06211

更新时间： 2024-11-30 03:13:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 82K
描述
Composite Transistors, Silicon NPN epitaxial planar type For switching/digital circuits

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XP06211 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-88
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.81
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：35
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

XP06211 数据手册

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Composite Transistors  
XP06211 (XP6211)  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For switching/digital circuits  
Unit: mm  
+0.05  
0.12  
–0.02  
0.2 0.05  
■ Features  
• Two elements incorporated into one package  
(Transistors with built-in resistor)  
5
6
4
3
• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half  
1
2
(0.65) (0.65)  
■ Basic Part Number  
1.3 0.1  
2.0 0.1  
•
UNR2211 (UN2211) × 2  
10˚  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
50  
Unit  
V
1: Emitter (Tr1)  
2: Emitter (Tr2)  
3: Base (Tr2)  
4: Collector (Tr2)  
5: Base (Tr1)  
6: Collector (Tr1)  
SMini6-G1 Package  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
50  
V
EIAJ : SC-88  
Collector current  
IC  
PT  
Tj  
100  
mA  
mW  
°C  
Marking Symbol: 7Z  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
150  
Internal Connection  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
6
Tr1  
1
5
4
Tr2  
2
3
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
50  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Output voltage high-level  
IC = 10 µA, IE = 0  
V
V
IC = 2 mA, IB = 0  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
50  
0.1  
0.5  
0.5  
µA  
µA  
mA  
ICEO  
IEBO  
hFE  
35  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.3 mA  
0.25  
V
VOH  
VOL  
R1  
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 kΩ  
4.9  
V
Output voltage low-level  
VCC = 5 V, VB = 2.5 V, RL = 1 kΩ  
0.2  
+30%  
1.2  
V
Input resistance  
−30%  
10  
1.0  
150  
kΩ  
Resistance ratio  
R1 / R2  
fT  
0.8  
Transition frequency  
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz  
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: June 2003  
SJJ00206BED  
1
123

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