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XP06531

更新时间： 2024-12-01 21:03:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 568K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, SC-88, 6 PIN

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XP06531 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-88
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTSJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1900 MHzBase Number Matches：1

XP06531 数据手册

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Composite Transistors  
XP06531  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For high frequency amplification, oscillation, and mixing  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
1
6
Features  
High transition frequency fT.  
Small collector output capacitance Cob and reverse transfca-  
pacitance Crb.  
■
●
2
5
4
●
●
Two elements incorporated into one package.  
Basic Part Number of Element  
2SC3130 × 2 elements  
0.2±0.1  
■
●
: Emitter (Tr14 : Collector (Tr2)  
2 : Emitter (T2) 5 : Base (Tr1)  
3 : Base Tr2)  
6 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88  
S–Mini Type Package (6–pin)  
Absolute Maximum Rs (T=25˚C)  
■
Parameter  
bol  
VCBO  
EO  
VEBO  
IC  
Ratings  
nit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emtter volta
Emitter to be voltage  
Colleor curent  
Totower diipation  
15  
Marking Symbol: IB  
Internal Connection  
Rating  
10  
V
of  
0  
V
element  
mA  
mW  
˚C  
Tr1  
1
2
3
6
5
4
P
0  
Overll tmperature  
e temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
Tr2  
Eharacteristics (Ta=25˚C)  
■
er  
Symbol  
VCEO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
V
Collectoer voltage  
Emitter to base voltage  
IC = 2mA, IB = 0  
10  
3
VEBO  
ICBO  
hFE  
IE = 10µA, IC = 0  
V
Collector cutoff current  
VCB = 10V, IE = 0  
1
µA  
Forward current transfer ratio  
VCE = 4V, IC = 5mA  
110  
400  
0.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 20mA, IB = 4mA  
V
GHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = 4V, IE = –5mA, f = 200MHz  
VCB = 4V, IE = 0, f = 1MHz  
VCB = 4V, IE = 0, f = 1MHz  
VCB = 4V, IE = –5mA, f = 31.9MHz  
VCE = 4V, IC = 100µA  
1.9  
1.4  
Collector output capacitance  
Cob  
Common base reverse transfer capacitance Crb  
0.45  
11  
pF  
Collector to base parameter  
rbb'·CC  
ps  
hFE ratio  
0.75  
1.6  
V
CE = 4V, IC = 5mA  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
XP06534 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar type
XP06534(XP6534) ETC

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 		Composite Device - Composite Transistors
XP06543 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar type
XP06543(XP6543) ETC

获取价格

 		複合デバイス － 複合トランジスタ
XP06543|XP6543 PANASONIC

获取价格

 		Composite Device - Composite Transistors
XP06545 PANASONIC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, S-MINI PACKAGE-6
XP08081 PANASONIC

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XP08081(XP8081) ETC

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XP0A554 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 100MA I(C) | SOT-363

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