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XP08081(XP8081)

更新时间： 2024-11-30 23:33:55

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描述
複合デバイス－複合トランジスタ

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XP08081(XP8081) 数据手册

複合トランジスタ

XP08081 (XP8081)

シリコンNチャネル接合形FET (Tr1部)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形(Tr2部)

Unit : mm

+0.05

アナログスイッチング用(Tr1)/スイッチング用(Tr2)

0.12

–0.02

0.2 0.05

■ 特ꢀ長

•

1パッケージに2素子内蔵(Tr + 抵抗内蔵トランジスタ)

実装面積とアセンブリコストの半減が可能

■ 基

本品種

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

•

2SK1103 + UNR2213 (UN2213)

10˚

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

−50

単位

Tr1

ゲート・ドレイン間降伏電圧 V_GDS

ドレイン電流

ゲート電流

I_D

I_G

1 : Drain (Tr1)

2 : Source (Tr1)

3 : Collector (Tr2)

EIAJ : SC-88

4 : Emitter (Tr2)

5 : Base (Tr2)

6 : Gate (Tr1)

Tr2

コレクタ・ベース間電圧

V_CBO

SMini6-G1 Package

(E 開放時)

コレクタ・エミッタ間

V_CEO

形名表示記号 : 9Z

電圧(B 開放時)

内部接続図

コレクタ電流

全許容損失

合温度

I_C

P_T

T_j

100

150

総合

接

150

°C

Tr1

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

Tr2

注) 形名の( )内は，従来品

番です

発行年月 : 2004年2月

SJJ00218BJD

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