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XP0C301(XP1C301)

更新时间： 2024-11-30 23:33:55

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複合デバイス－複合トランジスタ

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XP0C301(XP1C301) 数据手册

複合トランジスタ

XP0C301 (XP1C301)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形(Tr1部)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形(Tr2部)

Unit : mm

+0.05

一般増幅用

0.12

–0.02

0.20 0.05

■ 特ꢀ長

•

1パッケージに2素子内蔵

実装面積とアセンブリコストの半減が可能

0.65 0.65

■ 基

本品種

1.3 0.1

2.0 0.1

•

2SB0709A (2SB709A) + 2SD0601A (2SD601A)

10˚

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

単位

Tr1

コレクタ・ベース間電圧

V_CBO

−60

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

Emitter (Tr2)

3 : Base (Tr2)

(E 開放時)

4 : Collector (Tr2)

5 : Collector (Tr1)

SMini5-G1 Package

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

V_CEO

V_EBO

−50

−7

EIAJ : SC-88A

エミッタ・ベース間電圧

(C 開放時)

形名表示記号 : 4R

コレクタ電流

I_C

I_CP

−100

−200

内部接続図

尖頭コレクタ電流

Tr2

コレクタ・ベース間電圧

V_CBO

(E 開放時)

Tr1

Tr2

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

V_CEO

V_EBO

エミッタ・ベース間電圧

(C 開放時)

コレクタ電流

尖頭コレクタ電流

全許容損失

合温度

I_C

I_CP

P_T

100

200

150

°C

総合

接

T_j

150

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

注) 形名の( )内は，従来品

番です

発行年月 : 2003年12月

SJJ00222CJD

12 3 4 5

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