XP06534

更新时间： 2024-12-01 07:56:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	75K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

XP06534 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.015 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	650 MHz
Base Number Matches：	1

XP06534 数据手册

Composite Transistors

XP06534 (XP6534)

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

0.12

–0.02

0.2 ^0.05

For high-frequency amplification

■ Features

• Two elements incorporated into one package

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

10˚

■ Basic Part Number

• 2SC2404 × 2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

1: Emitter (Tr1)

2: Emitter (Tr2)

3: Base (Tr2)

EIAJ: SC-88

4: Collector (Tr2)

5: Base (Tr1)

6: Collector (Tr1)

SMini6-G1 Package

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Marking Symbol: 7F

Collector current

I_C

P_T

T_j

°C

Internal Connection

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

Tr1

150

T_stg

−55 to +150

Tr2

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_EBO

V_BE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Base-emitter voltage

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 6 V, I_E= −1 mA

720



Forward current transfer ratio

Transition frequency

h_FE

V_CB= 6 V, I_E= −1 mA

250

f_T

V_CB= 6 V, I_E= −1 mA, f = 200 MHz

V_CB= 6 V, I_E= −1 mA, f = 10.7 MHz

450

650

0.8

MHz

Reverse transfer capacitance

(Common emitter)

C_re

Power gain

G_P

V_CB= 6 V, I_E= −1 mA, f = 100 MHz

Noise figure

3.3

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2004

SJJ00216BED

12 3

中文翻译

下载PDF

与XP06534相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
XP06534(XP6534)	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XP06543	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
XP06543(XP6543)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XP06543\|XP6543	PANASONIC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XP06545	PANASONIC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, S-MINI PACKAGE-6
XP08081	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
XP08081(XP8081)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XP08081\|XP8081	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XP0A554	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 100MA I(C) \| SOT-363
XP0B301	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,

与XP06534相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

XP06534

XP06534 技术参数

XP06534 数据手册

与XP06534相关器件

与XP06534相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

XP06534

XP06534 技术参数

XP06534 数据手册

与XP06534相关器件

与XP06534相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？