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XP06543(XP6543)

更新时间： 2024-11-30 23:33:55

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描述
複合デバイス－複合トランジスタ

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XP06543(XP6543) 数据手册

複合トランジスタ

XP06543

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

+0.05

0.12

–0.02

0.2 0.05

低雑音増幅用

■ 特ꢀ長

•

トランジション周波数f_Tが高い

1パッケージに2素子内蔵 (独立タイプ)

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

■ 基

本品

種

10˚

•

2SC3904 × 2

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

単位

1 : Emitter (Tr1)

2 : Emitter (Tr2)

3 : Base (Tr2)

4 : Collector (Tr2)

5 : Base (Tr1)

6 : Collector (Tr1)

SMini6-G1 Package

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) V_CEO

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

形名表示記号 : 9Y

コレクタ電流

全許容損失

合温度

I_C

P_T

T_j

150

内部接続図

接

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

Tr1

Tr2

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

µA

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

V_CB= 10 V, I_E= 0

エミッタ・ベース間遮断電流(C開放時)

I_EBO

h_FE

f_T

V_EB= 1 V, I_C= 0

µA

直

流電流増幅率

V_CE= 8 V, I_C= 20 mA

120

8.5

2.2

0.6

300



GHz

トランジション周波数

V_CE= 8 V, I_C= 20 mA, f = 1.5 GHz

V_CE= 8 V, I_C= 7 mA, f = 1.5 GHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

7.0

雑音指数

C_ob

3.0

1.0

コレクタ出力容量(入力開放時)

順方向伝達利得

S_21e²V_CE= 8 V, I_C= 20 mA, f = 1.5 GHz

G_UMV_CE= 8 V, I_C= 20 mA, f = 1.5 GHz

最大電力利得

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. : パルス測定

発行年月 : 2003年6月

SJJ00217CJD

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