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XP06435

更新时间： 2024-11-30 21:55:23

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松下 - PANASONIC		/
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3页	89K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification

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XP06435 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

XP06435 数据手册

Composite Transistors

XP06435 (XP6435)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

0.12

–0.02

For high-frequency amplification

0.2 ^0.05

■ Features

• Two elements incorporated into one package

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

■ Basic Part Number

10˚

•

2SA1022 × 2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−30

Unit

1: Emitter (Tr1)

2: Emitter (Tr2)

3: Base (Tr2)

EIAJ: SC-88

4: Collector (Tr2)

5: Base (Tr1)

6: Collector (Tr1)

SMini6-G1 Package

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−20

−5

Marking Symbol: 7W

Collector current

I_C

P_T

T_j

−30

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

Internal Connection

150

Tr1

T_stg

−55 to +150

Tr2

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 2°C

Parameter

Base-emitter voltage

Symbol

V_BE

Conditions

V_CE= −10 V, I_C= −1 mA

V_CB= −10 V, I_E= 0

Min

Typ

Max

Unit

− 0.7

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_CBO

I_CEO

− 0.1

−100

−10

V_CE= −20 V, I_B= 0

I_EBO

V_EB= −5 V, I_C= 0

h_FE

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA

220

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= −1 mA

− 0.1

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

150

MHz

Ω

Noise figure

Z_rb

C_re

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 5 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 2 MHz

V_CE= −10 V, I_C= −1 mA, f = 10.7 MHz

2.8

Reverse transfer impedance

Reverse transfer capacitance

(Common emitter)

1.2

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2004

SJJ00213BED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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