Datasheet > XP06112(XP6112)

XP06112(XP6112)

更新时间： 2022-01-18 17:06:00

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	185K
描述
Composite Device - Composite Transistors

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

XP06112(XP6112) 数据手册

複合トランジスタ

XP06112 (XP6112)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

+0.05

0.12

–0.02

スイッチング用 / デジタル回路用

0.2 ^0.05

■ 特ꢀ長

•

1パッケージに2素子内蔵(抵抗内蔵トランジスタ)

実装面積とアセンブリコストの半減が可能

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

10˚

■ 基

本品種

•

UNR2112 (UN2112) × 2

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

1 : Emitter (Tr1)

2 : Emitter (Tr2)

3 : Base (Tr2)

EIAJ : SC-88

4 : Collector (Tr2)

5 : Base (Tr1)

6 : Collector (Tr1)

SMini6-G1 Package

項目

記号

定格

−50

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

−50

形名表示記号 : 6V

コレクタ電流

全許容損失

I_C

−100

150

P_T

内部接続図

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

Tr2

Tr1

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

V_CBO

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

−50

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

−50

− 0.1

− 0.5

− 0.2

µA

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)

I_CEO

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) I_EBO

直流電流増幅率

h_FE



コレクタ・エミッタ間飽和電圧

出力電圧ハイレベル

出力電圧ローレベル

入力抵抗

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

− 0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ

−4.9

V_CC= −5 V, V_B= −2.5 V, R_L= 1 kΩ

− 0.2

+30%

1.2

−30%

1.0

kΩ



抵抗比率

R₁/ R₂

f_T

0.8

トランジション周波数

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

注) 形名の( )内は，従来品

番です

発行年月 : 2003年6月

SJJ00199BJD

12 3

下载PDF

与XP06112(XP6112)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
XP06112\|XP6112	ETC	Composite Device - Composite Transistors	获取价格
XP06113	ETC	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-88	获取价格
XP06113(XP6113)	ETC	複合デバイス－複合トランジスタ	获取价格
XP06113\|XP6113	ETC	Composite Device - Composite Transistors	获取价格
XP06114	ETC	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-88	获取价格
XP06114(XP6114)	ETC	Composite Device - Composite Transistors	获取价格