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XP05531

更新时间： 2024-11-29 22:34:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 35K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XP05531 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1.1 pF集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：75
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1900 MHzBase Number Matches：1

XP05531 数据手册

 浏览型号XP05531的Datasheet PDF文件第2页 
Composite Transistors  
XP05531  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For high frequency, oscillation and mixing  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
1
6
Features  
High transition frequency fT.  
Small collector output capacitance Cob and reverse transfer ca-  
■
2
3
5
4
●
●
pacitance Crb.  
●
Two elements incorporated into one package.  
Basic Part Number of Element  
2SC3130 × 2 elements  
0.2±0.1  
■
●
1 : Emitter (Tr1)  
2 : Base (Tr1)  
3 : Base (Tr2)  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Emitter (Tr2)  
6 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
S–Mini Type Package (6–pin)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Total power dissipation  
15  
Marking Symbol: 5M  
Internal Connection  
Rating  
of  
element  
10  
V
3
50  
V
mA  
mW  
˚C  
Tr1  
1
6
5
4
PT  
150  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
2
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
3
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCEO  
Conditions  
min  
10  
3
typ  
max  
Unit  
V
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
IC = 2mA, IB = 0  
VEBO  
ICBO  
ICEO  
hFE1  
IE = 10µA, IC = 0  
V
VCB = 10V, IE = 0  
1
µA  
µA  
Collector cutoff current  
Forward current transfer ratio  
hFE2/hFE1 ratio  
VCE = 10V, IB = 0  
10  
VCE = 4V, IC = 5mA  
75  
400  
VCE = 4V, IC = 100µA  
VCE = 4V, IC = 5mA  
hFE2/hFE1  
0.75  
1.6  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 20mA, IB = 4mA  
0.5  
2.5  
V
GHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = 4V, IE = –5mA, f = 200MHz  
VCB = 4V, IE = 0, f = 1MHz  
VCB = 4V, IE = 0, f = 1MHz  
VCB = 4V, IE = –5mA, f = 31.9MHz  
1.4  
1.9  
0.9  
Collector output capacitance  
Cob  
1.1  
Common base reverse transfer capacitance Crb  
0.25  
11.8  
0.35  
13.5  
pF  
Collector to base parameter  
rbb.CC  
ps  
1
12

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