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XP05553 PDF预览

XP05553

更新时间： 2024-02-10 08:22:19
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI6-G1, 6 PIN

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XP05553 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.83最大集电极电流 (IC)：0.02 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：400JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

XP05553 数据手册

 浏览型号XP05553的Datasheet PDF文件第2页 
Composite Transistors  
XP5553  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For amplification of the low frequency  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
1
6
Features  
■
2
3
5
4
●
Two elements incorporated into one package.  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
●
Basic Part Number of Element  
2SD1149 × 2 elements  
■
●
0.2±0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
1 : Emitter (Tr1)  
2 : Base (Tr1)  
3 : Base (Tr2)  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Emitter (Tr2)  
6 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Peak collector current  
Total power dissipation  
100  
S–Mini Type Package (6–pin)  
100  
V
Rating  
of  
element  
15  
20  
V
Marking Symbol: 4U  
Internal Connection  
mA  
mA  
mW  
˚C  
ICP  
50  
PT  
150  
Tr1  
1
6
5
4
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
2
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
3
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
min  
100  
100  
15  
typ  
max  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
IC = 10µA, IE = 0  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
ICEO  
hFE  
IC = 1mA, IB = 0  
V
IE = 10µA, IC = 0  
V
VCB = 60V, IE = 0  
0.1  
1.0  
µA  
µA  
Collector cutoff current  
VCE = 60V, IB = 0  
Forward current transfer ratio  
VCE = 10V, IC = 2mA  
400  
2000  
0.2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 10mA, IB = 1mA  
VCE = 10V, IC = 1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
0.05  
80  
V
Noise voltage  
NV  
fT  
mV  
MHz  
Transition frequency  
150  
1
12

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