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XP05534

更新时间： 2024-11-29 23:33:51

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其他 - ETC		晶体晶体管光电二极管放大器
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描述
複合デバイス－複合トランジスタ

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XP05534 数据手册

複合トランジスタ

XP05534

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

Unit: mm

高周波増幅用

2.1±0.1

1.25±0.1

0.425

■ 特ꢀ長

•

トランジション周波数f_Tが高い

•

1 パッケージに2 素子内蔵(独立タイプ)

• 実装面積とアセンブリコストの半減が可能

■ 使用素子基本形名

•

2SC2404 × 2素子

0.2±0.1

■ 絶対最大定格 Ta=25°C

項目

記号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

定格

単位

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

3 : Base (Tr2)

EIAJ : SC-88

4 : Collector (Tr2)

5 : Emitter (Tr2)

6 : Collector (Tr1)

コレクタ・ベース電圧

S Mini Type Package (6-pin)

素子のコレクタ・エミッタ電圧

定格

エミッタ・ベース電圧

コレクタ電流

全損失

形名表示記号 : IS

°C

内部接続図

P_T

150

総合

接合部温度

保存温度

T_j

150

Tr1

T_stg

−55 +150

°C

Tr2

■ 電気的特性 Ta=25±3°C

項目

コレクタ・ベース電圧

エミッタ・ベース電圧

直流電流増幅率

ベース・エミッタ電圧

帰還容量

記号

V_CBO

V_EBO

h_FE

条件

最小標準

最大

単位

I_C=10µA, I_E=0

I_E=10µA, I_C=0

V_CB=6V, −I_E=1mA

V_BE

C_re

V_CB=6V, −I_E=1mA

720

0.8

650

3.3

V_CB=6V, −I_E=1mA, f=10.7MHz

V_CB=6V, −I_E=1mA, f=100MHz

トランジション周波数

雑音指数

f_T

450

MHz

電力利得

12 3 4

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