Datasheet > WTM506P450LS

WTM506P450LS

更新时间： 2023-12-06 20:08:38

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
7页	584K
描述
功率金氧半电晶体

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

WTM506P450LS 数据手册

WTM506P450LS-HAF

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Low Gate-Source Threshold Voltage

Gate

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Source

1.Source 2.Source 3.Source 4.Gate

5.Drain 6.Drain 7.Drain 8.Drain

DFN5060 Plastic Package

Key Parameters

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

45 @ -V_GS= 10 V

50 @ -V_GS= 4.5 V

1.5

R_DS(ON)Max

mΩ

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

34 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

Drain Current

-I_D

T_c= 100℃

Peak Drain Current ¹⁾

Avalanche Current

Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

-I_DM

-I_AS

23.1

E_AS

26.6

℃

P_D

29.8

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

4.1

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 23.1 A, V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

1 / 7

Dated: 15/06/2022 Rev: 02

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与WTM506P450LS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WTM506P450LS-CH	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM506P700LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM508N040S	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM510N039S	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM510N062L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM510N065L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM510N082L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM510N115L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM510N1K1LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM510N550LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体