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WTM603B260L

更新时间： 2024-11-10 14:54:19

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先科 - SWST		晶体
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描述
功率金氧半电晶体

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WTM603B260L 数据手册

WTM603B260L-HAF

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Low On-Resistance

• Low Input Capacitance

• Low Miller Charge

• Low Input/Output Leakage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain

Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain

DFN5060 Plastic Package

Applications

• Load Switch

• Automotive Systems

• Motor / Body Load Control

• DC-DC converters and Off-line UPS

Key Parameters (Q1/Q2)

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

27 @ -V_GS= 10 V

45 @ -V_GS= 4.5 V

1.4

R_DS(ON)Max

mΩ

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

22 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified) (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

-V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

-I_DM

-I_AS

E_AS

℃

P_D

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 20 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 22/09/2023 Rev: 01

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