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WTM510P1K0L

更新时间： 2024-11-21 14:54:07

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先科 - SWST		晶体
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8页	558K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM510P1K0L 数据手册

WTM510P1K0L-HAF

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Low Gate-Source Threshold Voltage

Gate

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Source

1.Source 2.Source 3.Source 4.Gate

5.Drain 6.Drain 7.Drain 8.Drain

DFN5060 Plastic Package

Key Parameters

Parameter

-BV_DSS

Value

100

Unit

100 @ -V_GS= 10 V

115 @ -V_GS= 4.5 V

1.5

R_DS(ON)Max

mΩ

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

47 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

Value

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25°C

T_c= 100°C

Drain Current

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

-I_DM

-I_AS

14.7

E_AS

℃

T_c= 25°C

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

3.7

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.5 mH, R_g= 25 Ω, -I_D= 14.7 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 25/06/2021 Rev: 01

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