Datasheet > WTM602D230US

WTM602D230US

更新时间： 2024-09-30 14:53:15

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
7页	988K
描述
功率金氧半电晶体

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

WTM602D230US 数据手册

WTM602D230US-HAF

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Low On-Resistance

• Fast Switching Speed

• Low Input Capacitance

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Applications

Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain

Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain

DFN5060 Plastic Package

• DC-DC Converters

• Backlighting

• Power Management Functions

Key Parameters(Q1/Q2)

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

23 @ V_GS= 4.5 V

30 @ V_GS= 2.5 V

0.7

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

9 @ V_GS= 4.5 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Symbol

Value

Unit

Parameter

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 12

T_c= 25℃

T_c= 100℃

I_D

Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

℃

P_tot

12.5

Power Dissipation

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 12 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

100

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

1 / 7

Dated: 20/06/2023 Rev: 03

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与WTM602D230US相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WTM602N250U	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM603B150LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM603B150LS-CH	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM603B170L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM603B260L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM603B260L-CH	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM603B600LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM603C290LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM603C290LS-CH	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTM603C300LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体