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WTM510N115L

更新时间： 2023-12-06 20:09:28

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先科 - SWST		晶体
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8页	618K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM510N115L 数据手册

WTM510N115L-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low Miller Capacitance

• Fully Characterized Capacitance

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

Application

1.Source 2.Source 3.Source 4.Gate

5.Drain 6.Drain 7.Drain 8.Drain

DFN5060 Plastic Package

• BLDC Motor drive applications

• Battery powered circuits

• Synchronous rectifier applications

• Resonant mode power supplies

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

100

Unit

11.5 @ V_GS= 10 V

13.5 @ V_GS= 4.5 V

1.7

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

44 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

240

9.1

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

12.4

℃

P_tot

46.6

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

2.6

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.3 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 9.1 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 02/06/2021 Rev: 01

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