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WTM604C400LS

更新时间： 2024-11-25 14:54:43

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先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
12页	889K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM604C400LS 数据手册

WTM604C400LS-HAF

Complementary N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

• Low Gate-Source Threshold Voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain

Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain

DFN5060 Plastic Package

Key Parameters(Q1)

Parameter

Key Parameters(Q2)

Value

Unit

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

BV_DSS

20 @ V_GS= 10 V

24 @ V_GS= 4.5 V

1.7

44 @ -V_GS= 10 V

59 @ -V_GS= 4.5 V

1.6

R_DS(ON)Max

mΩ

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

22 @ V_GS= 10 V

19 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Value

Symbol

Unit

Parameter

- 40

± 20

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

± 20

Gate-Source Voltage

T_c= 25℃

- 15

- 9.4

I_D

Continuous Drain Current

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

100

9.8

- 60

-16.8

14.1

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

℃

P_D

15.6

Power Dissipation

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics(Q1\Q2)

Parameter

Symbol

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Q1: Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.5 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 9.8 A, V_GS= 10 V.

R_θJC

℃

R_θJA

Q2: Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 16.8 A, V_GS= 10 V.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 19/04/2023 Rev: 02

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