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WTM604C250L

更新时间： 2024-12-01 14:56:03

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先科 - SWST		晶体
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13页	782K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM604C250L 数据手册

WTM604C250L-HAF

Complementary N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Fast switching

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

1. Source1 2. Gate1 3. Source2 4. Gate2

Applications

5. Drain2 6. Drain2 7. Drain1 8. Drain1

DFN5060 Plastic Package

• CCFL backlighting

• 3 phases BLDC motor

Key Parameters (Q1)

Parameter

Key Parameters (Q2)

Value

Unit

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

BV_DSS

19 @ V_GS= 10 V

24 @ V_GS= 4.5 V

1.6

35 @ -V_GS= 10 V

50 @ -V_GS= 4.5 V

1.5

R_DS(ON)Max

mΩ

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

17 @ V_GS= 10 V

23 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Value

Symbol

Unit

Parameter

V_DS

V_GS

- 40

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

17.6

± 20

- 23

- 14

T_c= 25℃

T_c= 100℃

I_D

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

- 80

- 25

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

T_c= 25℃

T_c= 100℃

P_D

Power Dissipation

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

℃

Thermal Characteristics (Q1)

Parameter

Symbol

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

R_θJC

R_θJA

℃

Thermal Characteristics (Q2)

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

100

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 02/12/2020 Rev: 01

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