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WTM603D100LS

更新时间： 2024-11-10 14:55:35

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先科 - SWST		晶体
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7页	588K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM603D100LS 数据手册

WTM603D100LS-HAF

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Applications

Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain

Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain

DFN5060 Plastic Package

• DC/DC Converters in computing

• Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

Key Parameters(Q1/Q2)

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

11 @ V_GS= 10 V

15 @ V_GS= 4.5 V

1.5

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

25 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Continuous Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

150

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

℃

P_D

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

4.1

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 19 A, V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 19/05/2022 Rev: 03

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