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WTM603P260L

更新时间: 2024-11-25 14:54:07
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先科 - SWST 晶体
页数 文件大小 规格书
7页 589K
描述
功率金氧半电晶体

WTM603P260L 数据手册

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WTM603P260L-HAF  
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
• Low On-Resistance  
• Low Input Capacitance  
• Low Miller Charge  
• Low Input/Output Leakage  
• Halogen and Antimony Free(HAF),  
RoHS compliant  
Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain  
Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain  
DFN5060 Plastic Package  
Applications  
• Load Switch  
• Automotive Systems  
• Motor / Body Load Control  
• DC-DC converters and Off-line UPS  
Key Parameters (Q1/Q2)  
Parameter  
-BVDSS  
Value  
30  
Unit  
V
27 @ -VGS = 10 V  
45 @ -VGS = 4.5 V  
1.4  
RDS(ON) Max  
mΩ  
-VGS(th) typ  
Qg typ  
V
22 @ -VGS = 10 V  
nC  
Absolute Maximum Ratings (at Ta = 25unless otherwise specified) (Q1/Q2)  
Parameter  
Symbol  
-VDS  
Value  
30  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VGS  
± 20  
30  
19  
V
Tc = 25℃  
Tc = 100℃  
Drain Current  
-ID  
A
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
Single-Pulse Avalanche Current  
Single-Pulse Avalanche Energy 2)  
Power Dissipation  
-IDM  
-IAS  
90  
A
A
20  
EAS  
20  
41  
mJ  
W
PD  
Tc = 25℃  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics (Q1/Q2)  
Parameter  
Symbol  
RθJC  
Max.  
3
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Case  
/W  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 3)  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX) = 150°C.  
2) Limited by TJ(MAX), starting TJ = 25 °C, L = 0.1 mH, Rg = 25 Ω, -IAS = 20 A, VGS = 10 V.  
RθJA  
43  
3) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.  
®
1 / 7  
Dated: 01/08/2023 Rev: 03  

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