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WTM603B150LS-CH

更新时间： 2023-12-06 20:01:08

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先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
7页	704K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM603B150LS-CH 数据手册

WTM603B150LS-CH

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Low On-Resistance

• AEC-Q101 Qualified

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain

Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain

DFN5060 Plastic Package

Key Parameters(Q1/Q2)

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

15 @ V_GS= 10 V

18.5 @ V_GS= 4.5 V

1.5

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

48 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

-V_DS

Value

Unit

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_GS

± 20

T_c= 25°C

T_c= 100°C

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

-I_DM

-I_AS

140

28.7

E_AS

℃

T_c= 25°C

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25°C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 28.7 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 21/02/2023 Rev: 01

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