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WTM603C600LS

更新时间： 2024-11-10 14:50:47

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先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
13页	2718K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM603C600LS 数据手册

WTM603C600LS-HAF

Complementary N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain

Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain

DFN5060 Plastic Package

Key Parameters(Q1)

Parameter

Key Parameters(Q2)

Value

Unit

Parameter

-V_(BR)DSS

Value

Unit

V_(BR)DSS

22 @ V_GS= 10 V

32 @ V_GS= 4.5 V

1.5

68 @ -V_GS= 10 V

112 @ -V_GS= 4.5 V

1.7

R_DS(ON)Max

mΩ

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

12.7 @ V_GS= 10 V

8.1 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Value

Symbol

Unit

Parameter

- 30

± 20

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

T_c= 25℃

- 13

- 8

I_D

Continuous Drain Current

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

11.2

6.2

- 38

- 11.1

6.1

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

℃

P_D

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

Value

9.6

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

R_θJC

R_θJA

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25°C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, V_GS= 10 V.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 17/01/2022 Rev: 01

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