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WTM603C300LS

更新时间： 2024-11-25 14:55:03

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先科 - SWST		晶体
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12页	1967K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM603C300LS 数据手册

WTM603C300LS-HAF

Complementary N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Excellent R_DS(ON)and low gate charge

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Applications

• Level shifted high side switch

Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain

and for a host of other applications

Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain

DFN5060 Plastic Package

Key Parameters(Q1)

Key Parameters(Q2)

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

20 @ V_GS= 10 V

27 @ V_GS= 4.5 V

1.5

28 @ -V_GS= 10 V

46 @ -V_GS= 4.5 V

1.6

R_DS(ON)Max

mΩ

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

11.8 @ V_GS= 10 V

22 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Value

Symbol

Unit

Parameter

- 30

± 20

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

T_c= 25℃

- 20

- 12.6

I_D

Continuous Drain Current

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

11.2

6.2

- 85

- 19.6

19.2

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

℃

Power Dissipation

P_D

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJC

Value

9.6

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 22/06/2022 Rev: 02

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