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WTM602N250U

更新时间： 2024-09-30 14:53:07

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先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
8页	1098K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM602N250U 数据手册

WTM602N250U-HAF

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Low On-Resistance

• Fast Switching Speed

• Low Input Capacitance

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

1.Source1 2.Gate1 3.Source2 4.Gate2

5.Drain2 6.Drain2 7.Drain1 8.Drain1

DFN5060 Plastic Package

Applications

• DC-DC Converters

• Backlighting

• Power Management Functions

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

25 @ V_GS= 4.5 V

35 @ V_GS= 2.5 V

0.7

mΩ

R_DS(ON)Max

V_GS(th)typ

Q_gtyp

9 @ V_GS= 4.5 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 8

T_c= 25℃

T_c= 100℃

I_D

Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

℃

P_tot

12.5

Power Dissipation

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_D= 12 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

100

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 15/10/2020 Rev: 01

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