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WTM510P680L

更新时间： 2023-12-06 20:09:13

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先科 - SWST		晶体
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7页	541K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM510P680L 数据手册

WTM510P680L-HAF

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Advanced trench cell design

• High speed switch

• Halogen and Antimony Free(HAF),

Gate

RoHS compliant

Source

1.Source 2.Source 3.Source 4.Gate

5.Drain 6.Drain 7.Drain 8.Drain

DFN5060 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Key Parameters

Parameter

-BV_DSS

Value

100

Unit

68 @ -V_GS= 10 V

78 @ -V_GS= 4.5 V

1.4

R_DS(ON)Max

mΩ

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

71 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

100

Unit

Drain-Source Voltage

-V_DS

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

-I_D

Peak Drain Current ¹⁾

Avalanche Current

-I_DM

-I_AS

18.2

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

82.8

℃

P_D

45.7

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

2.7

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25°C, L = 0.5 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 18.2 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 14/10/2022 Rev: 02

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