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WTM603C290LS

更新时间： 2024-10-02 14:54:35

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先科 - SWST		晶体
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12页	905K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM603C290LS 数据手册

WTM603C290LS-HAF

Complementary N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Low R_{DS( ON )}

• Low Input Capacitance

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Application

Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain

• Motor/Body Load Control

• Load Switch

Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain

DFN5060 Plastic Package

• DC-DC converters and Off-line UPS

Key Parameters(Q2)

Key Parameters(Q1)

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

25 @ -V_GS= 10 V

45 @ -V_GS= 4.5 V

1.5

9.3 @ V_GS= 10 V

13 @ V_GS= 4.5 V

1.5

R_DS(ON)Max

mΩ

R_DS(ON)Max

mΩ

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

V_GS(th)typ

Q_gtyp

19 @ -V_GS= 10 V

25 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Value

Symbol

Unit

Parameter

- 30

± 20

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

T_c= 25℃

- 24

- 15

I_D

Continuous Drain Current

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

170

- 70

- 20.8

21.7

I_DM

I_AS

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

℃

P_D

19.7

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Max.

6.3

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, V_GS= 10 V.

R_θJC

℃

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 22/06/2022 Rev: 02

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