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VS-GB05XP120KTPBF

更新时间： 2024-10-30 14:45:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	186K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MTP, MODULE-13

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VS-GB05XP120KTPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-P13
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	其他特性：	UL APPROVED, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-P13	元件数量：	6
端子数量：	13	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	461 ns	标称接通时间 (ton)：	64 ns
Base Number Matches：	1

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VS-GB05XP120KTPbF

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

Three Phase Inverter Module in MTP Package

1200 V NPT IGBT and HEXFRED^®Diodes, 5 A

FEATURES

• Generation 5 NPT 1200 V IGBT technology

• HEXFRED^®diode with ultrasoft reverse

recovery

• Very low conduction and switching losses

• Optional SMT thermistor (NTC)

• Aluminum oxide DBC

• Very low stray inductance design for high speed operation

MTP

• Short circuit 10 μs

• Square RBSOA

• Operating frequencies 8 kHz to 60 kHz

• UL approved file E78996

PRODUCT SUMMARY

V_CES

• Designed and qualified for industrial level

1200 V

2.90 V

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

V_CE(on)typical at V_GE= 15 V

I_Cat T_C= 100 °C

t_scat T_J= 150 °C

Package

5 A

BENEFITS

> 10 μs

• Optimized for inverter motor drive applications

• Low EMI, requires less snubbing

• Direct mounting to heatsink

MTP

Circuit

Three phase inverter

• PCB solderable terminals

• Very low junction to case thermal resistance

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MAX.

1200

UNITS

Collector to emitter voltage

V_CES

T_C= 25 °C

Continuous collector current

I_C

T_C= 100 °C

Pulsed collector current

Peak switching current

I_CM

I_LM

Diode continuous forward current

Peak diode forward current

Gate to emitter voltage

I_F

I_FM

V_GE

V_ISOL

RMS isolation voltage

Any terminal to case, t = 1 min

T_C= 25 °C

2500

Maximum power dissipation

(including diode and IGBT)

P_D

_C= 100 °C

Revision: 30-Oct-13

Document Number: 93912

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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