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VS-GB15XP120KPBF

更新时间： 2024-10-30 19:26:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	182K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MTP, MODULE-13

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VS-GB15XP120KPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-P13
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
其他特性：	UL APPROVED, LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-PUFM-P13
元件数量：	6	端子数量：	13
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	361 ns
标称接通时间 (ton)：	113 ns	Base Number Matches：	1

VS-GB15XP120KPBF 数据手册

VS-GB15XP120KTPbF

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

Three Phase Inverter Module in MTP Package

1200 V NPT IGBT and HEXFRED^®Diodes, 15 A

FEATURES

• Generation 5 NPT 1200 V IGBT technology

• HEXFRED^®diode with ultrasoft reverse

recovery

• Very low conduction and switching losses

• Optional SMT thermistor (NTC)

• Aluminum oxide DBC

MTP

• Very low stray inductance design for high speed operation

• Short circuit 10 μs

• Square RBSOA

• Operating frequencies 8 kHz to 60 kHz

PRODUCT SUMMARY

• UL approved file E78996

V_CES

V_CE(on)typical at V_GE= 15 V

I_Cat T_C= 100 °C

t_scat T_J= 150 °C

Package

1200 V

2.51 V

• Designed and qualified for industrial level

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

15 A

> 10 μs

BENEFITS

MTP

• Optimized for inverter motor drive applications

• Low EMI, requires less snubbing

• Direct mounting to heatsink

Circuit

Three phase inverter

• PCB solderable terminals

• Very low junction to case thermal resistance

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MAX.

1200

UNITS

Collector to emitter voltage

V_CES

T_C= 25 °C

Continuous collector current

I_C

T_C= 100 °C

Pulsed collector current

Peak switching current

I_CM

I_LM

Diode continuous forward current

Peak diode forward current

Gate to emitter voltage

I_F

I_FM

V_GE

V_ISOL

RMS isolation voltage

Any terminal to case, t = 1 min

T_C= 25 °C

2500

187

Maximum power dissipation

(including diode and IGBT)

P_D

_C= 100 °C

Revision: 30-Oct-13

Document Number: 93913

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VS-GB15XP120KTPBF	VISHAY	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MT
VS-GB200NH120N	VISHAY	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 420A I(C), 1200V V(BR)CES
VS-GB200TH120N	VISHAY	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 360A I(C), 1200V V(BR)CES
VS-GB200TH120U	VISHAY	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 330A I(C), 1200V V(BR)CES
VS-GB200TS60NPBF	VISHAY	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
VS-GB300NH120N	VISHAY	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
VS-GB50NA120UX	VISHAY	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
VS-GB50TP120N	VISHAY	获取价格	10 Î¼s short circuit capability
VS-GB50YF120N	VISHAY	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
VS-GB70NA60UF	VISHAY	获取价格	GB75YF120N IGBT Fourpack Module, 75 A

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