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VS-GB200TH120U

更新时间： 2024-10-30 21:19:47

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威世 - VISHAY		栅
页数	文件大小	规格书
7页	165K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 330A I(C), 1200V V(BR)CES

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VS-GB200TH120U 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	330 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
门极-发射极最大电压：	20 V	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散 (Abs)：	1316 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
端子面层：	Nickel (Ni)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VS-GB200TH120U 数据手册

VS-GB200TH120U

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Molding Type Module IGBT,

2-in-1 Package, 1200 V and 200 A

FEATURES

• 10 μs short circuit capability

• V_CE(on)with positive temperature coefficient

• Maximum junction temperature 150 °C

• Low switching losses

• Rugged with ultrafast performance

• Low inductance case

Double INT-A-PAK

• Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD

• Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper

Bonding) technology

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

PRODUCT SUMMARY

V_CES

1200 V

200 A

TYPICAL APPLICATIONS

• Switching mode power supplies

• Inductive heating

I_Cat T_C= 80 °C

V_CE(on)(typical)

at I_C= 200 A, 25 °C

3.10 V

• Electronic welder

Speed

Package

Circuit

8 kHz to 30 kHz

Double INT-A-PAK

Half bridge

DESCRIPTION

Vishay’s IGBT power module provides ultra low conduction

loss as well as short circuit ruggedness. It is designed for

applications such as electronic welder and inductive

heating.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MAX.

1200

UNITS

Collector to emitter voltage

Gate to emitter voltage

V_CES

V_GES

T_C= 25 °C

330

200

400

200

400

1316

Collector current

I_C

T_C= 80 °C

t_p= 1 ms

(1)

Pulsed collector current

I_CM

Diode continuous forward current

Diode maximum forward current

Maximum power dissipation

Short circuit withstand time

RMS isolation voltage

I_F

I_FM

T_C= 80 °C

t_p= 1 ms

P_D

T_J= 150 °C

T_J= 125 °C

f = 50 Hz, t = 1 min

μs

t_SC

V_ISOL

2500

Note

(1)

Repetitive rating: pulse width limited by maximum junction temperature.

Revision: 12-Jun-15

Document Number: 94754

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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