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VS-FA57SA50LCP

更新时间： 2024-12-01 15:57:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 177K
描述
Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 500V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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VS-FA57SA50LCP 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, UL APPROVED
雪崩能效等级（Eas）：725 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：57 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：228 A
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

VS-FA57SA50LCP 数据手册

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Not recommended for new designs, use VS-FA72SA50LC  
VS-FA57SA50LCP  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Power MOSFET, 57 A  
FEATURES  
• Fully isolated package  
• Easy to use and parallel  
• Low on-resistance  
• Dynamic dV/dt rating  
• Fully avalanche rated  
• Simple drive requirements  
• Low gate charge device  
• Low drain to case capacitance  
• Low internal inductance  
• Designed for industrial level  
• UL approved file E78996  
SOT-227  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
500 V  
0.08   
DESCRIPTION  
Third Generation Power MOSFETs from Vishay  
Semiconductors provide the designer with the best  
combination of fast switching, ruggedized device design,  
low on-resistance and cost-effectiveness.  
57 A  
Type  
Modules - MOSFET  
SOT-227  
Package  
The SOT-227 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 500 W. The low thermal resistance  
of the SOT-227 contribute to its wide acceptance  
throughout the industry.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TC = 25 °C  
C = 100 °C  
MAX.  
UNITS  
57  
Continuous drain current at VGS 10 V  
ID  
T
36  
A
(1)  
Pulsed drain current  
IDM  
228  
Power dissipation  
PD  
TC = 25 °C  
625  
W
W/°C  
V
Linear derating factor  
5.0  
Gate to source voltage  
VGS  
20  
(2)  
Single pulse avalanche energy  
Avalanche current  
EAS  
725  
mJ  
A
(1)  
IAR  
57  
(1)  
Repetitive avalanche energy  
Peak diode recovery dV/dt  
Operating junction and storage temperature range  
Insulation withstand voltage (AC-RMS)  
Mounting torque  
EAR  
62.5  
mJ  
V/ns  
°C  
dV/dt (3)  
TJ, TStg  
VISO  
10  
- 55 to + 150  
2.5  
kV  
M4 screw  
1.3  
Nm  
Notes  
(1)  
(2)  
(3)  
Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11)  
Starting TJ = 25 °C, L = 446 μH, Rg = 25 , IAS = 57 A (see fig. 12)  
ISD 57 A, dI/dt 200 A/μs, VDD V(BR)DSS, TJ 150 °C  
Revision: 08-Aug-13  
Document Number: 94548  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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