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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPC8010-H
TPC8010-H PDF预览

TPC8010-H

更新时间： 2024-11-01 22:19:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 344K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII)

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TPC8010-H 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.9 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPC8010-H 数据手册

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TPC8010-H  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII)  
TPC8010-H  
DC-DC Converters  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
•
•
Small footprint due to small and thin package  
High speed switching  
Small gate charge: Q = 18 nC (typ.)  
g
Low drain-source ON resistance: R  
= 12 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 11 S (typ.)  
fs  
= 10 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= 30 V)  
DS  
DSS  
Enhancement mode: V = 1.1 to 2.3 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th DS  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
30  
30  
V
V
V
Drain-source voltage  
DSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
JEDEC  
JEITA  
―
―
V
±20  
11  
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
44  
DP  
TOSHIBA  
2-6J1B  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
Weight: 0.080 g (typ.)  
P
1.9  
1.0  
W
W
D
D
P
Circuit Configuration  
Single pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
157  
11  
mJ  
A
AS  
8
1
7
2
6
3
5
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
0.19  
mJ  
AR  
(Note 2a) (Note 4)  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3) and (Note 4), please refer to the  
next page.  
4
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
1
2002-03-12  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPC8010-H(TE12L,Q) TOSHIBA

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