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TPC8024-H

更新时间： 2024-11-02 20:06:27

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	305K
描述
TRANSISTOR 13000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, 2-6J1B, 8 PIN, FET General Purpose Small Signal

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TPC8024-H 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.013 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.9 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPC8024-H 数据手册

TPC8024-H

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSIII)

TPC8024-H

High-Efficiency DC／DC Converter Applications

Unit: mm

Notebook PC Applications

Portable Equipment Applications

•

Small footprint due to a small and thin package

High-speed switching

Small gate charge: Q

= 6.9 nC (typ.)

Low drain-source ON-resistance: R

DS (ON)

= 6.8 mΩ (typ.)

High forward transfer admittance: |Y | =32 S (typ.)

Low leakage current: I

= 10 µA (max) (V = 30 V)

DSS

Enhancement mode: V = 1.1 to 2.3 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

th DS

Maximum Ratings

(Ta 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

DSS

Drain-gate voltage (R

= 20 kΩ)

DGR

JEDEC

JEITA

―

±20

Gate-source voltage

GSS

(Note 1)

Drain current

Pulsed (Note 1)

TOSHIBA

2-6J1B

Drain power dissipation

(t = 10 s)

(Note 2a)

(t = 10 s)

(Note 2b)

Weight: 0.085 g (typ.)

1.9

1.0

Circuit Configuration

Single-pulse avalanche energy

(Note 3)

110

Avalanche current

Repetitive avalanche energy

0.084

(Note 2a) (Note 4)

150

°C

Channel temperature

Storage temperature range

stg

−55 to 150

Note: For Notes 1 to 4, refer to the next page.

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2006-01-17

12 3 4 5 6 7

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