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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPC8016-H
TPC8016-H PDF预览

TPC8016-H

更新时间： 2024-11-01 22:42:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 79K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOS III)

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TPC8016-H 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.9 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPC8016-H 数据手册

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TPC8016-H  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOS III)  
TPC8016-H  
High Speed and High Efficiency DC-DC Converters  
Unit: mm  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
·
·
·
·
·
·
·
Small footprint due to small and thin package  
High speed switching  
Small gate charge: Qg = 48 nc (typ.)  
Low drain-source ON resistance: R  
= 3.7 mO (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 25 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
DSS  
= 10 µA (max) (V  
= 30 V)  
DS  
Enhancement-mode: V = 1.1 to 2.3 V (V  
th  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
DS  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
V
30  
30  
V
V
V
Drain-source voltage  
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R = 20 kW)  
GS  
JEDEC  
JEITA  
?
?
±20  
15  
Gate-source voltage  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulsed (Note 1)  
I
60  
DP  
TOSHIBA  
2-6J1B  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 10 s)  
Weight: 0.080 g (typ.)  
P
1.9  
1.0  
W
W
D
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
P
D
(Note 2b)  
Circuit Configuration  
Single pulse avalanche energy  
E
146  
15  
mJ  
A
AS  
(Note 3)  
8
7
6
5
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
AR  
0.19  
mJ  
(Note 2a) (Note 4)  
Channel temperature  
Storage temperature range  
T
150  
°C  
°C  
ch  
T
stg  
- 55 to 150  
1
2
3
4
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3) and (Note 4), please refer to the  
next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
2003-07-14  
1
1234567

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