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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPC8012-H
TPC8012-H PDF预览

TPC8012-H

更新时间： 2024-11-02 05:55:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 264K
描述
Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications

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TPC8012-H 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, 2-6J1B, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.79
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPC8012-H 数据手册

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TPC8012-H  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOSV)  
TPC8012-H  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
DC／DC Converter Applications  
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance: R  
= 0.28 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 1.35 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (max) (V  
= 200 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 3.0 to 5.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
DS D  
th  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
200  
200  
±30  
1.8  
V
V
V
Drain-source voltage  
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
7.2  
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
JEDEC  
JEITA  
―
―
P
1.9  
1.0  
W
W
D
D
TOSHIBA  
2-6J1B  
P
Weight: 0.085 g (typ.)  
Single-pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
2.05  
1.8  
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
AR  
Circuit Configuration  
Repetitive avalanche energy  
E
0.19  
mJ  
AR  
8
7
6
5
(Note 2a) (Note 4)  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Note: For Notes 1 to 4, refer to the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2
3
4
1
2006-01-17  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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