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TK12A50D

更新时间： 2024-11-06 19:58:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 263K
描述
TRANSISTOR 12 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power

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TK12A50D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SC-67包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
雪崩能效等级（Eas）：364 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.52 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TK12A50D 数据手册

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TK12A50D  
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 (π-MOSⅦ)  
TK12A50D  
○スイッチングレギュレータ用  
単位: mm  
z オン抵抗が低い。 : R  
= 0.45 Ω (標準)  
DS (ON)  
z 順方向伝達アドミタンスが高い。: ⎪Y ⎪ = 6.0S (標準)  
fs  
z 漏れ電流が低い。 : I  
= 10μA (最大) (V = 500V)  
DS  
DSS  
z 取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。  
: V = 2.0～4.0 V (V = 10 V、I = 1 mA)  
th  
DS  
D
絶対最大定格 (Ta = 25℃)  
項目  
記号  
定格  
単位  
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧  
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧  
V
V
500  
±30  
12  
V
V
DSS  
GSS  
DC  
(注1)  
(注1)  
I
D
ド レ イ ン 電 流  
A
パルス  
I
48  
DP  
許
容
損
失 (Tc=25℃)  
P
45  
W
mJ  
A
D
AS  
AR  
アバランシェエネルギー(単発) (注 2)  
ア バ ラ ン シ ェ 電 流  
アバランシェエネルギー(連続) (注 3)  
E
364  
12  
JEDEC  
―
I
E
4.5  
mJ  
℃
℃
JEITA  
SC-67  
2-10U1B  
AR  
チ
保
ャ
ネ
ル
温
度
度
T
ch  
150  
−55～150  
東 芝  
存
温
T
stg  
質量: 1.7 g (標準)  
注 : 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても, 高負荷 (高温および大電  
流/高電圧印加, 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下するおそれがあります。  
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ  
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設計をお願いします。  
熱抵抗特性  
項目  
記号  
最大  
単位  
2
チ ャ ネ ル ・ ケ ー ス 間 熱 抵 抗  
チ ャ ネ ル ・ 外 気 間 熱 抵 抗  
R
R
2.78  
62.5  
℃ / W  
℃ / W  
th (ch-c)  
th (ch-a)  
1
注1: チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。  
注2: アバランシェエネルギー (単発) 印加条件  
V
DD  
= 90 V, T = 25℃ (初期) , L = 4.3 mH, R = 25 Ω, I  
= 12 A  
AR  
ch  
G
注3: 連続印加の際, パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。  
この製品はMOS 構造です。取り扱いの際には, 静電気にご注意ください。  
3
1
2010-08-26  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TK12A50D5 TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 12 A, 500 V, 0.73 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
TK12A50W TOSHIBA

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 		Power MOSFET Nch (Single)
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 		N-ch MOSFET, 800 V, 0.45 Ω@10V, TO-220SIS, DT

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