TK12D60U

更新时间： 2024-11-21 05:54:35

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)

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TK12D60U 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	ROHS COMPLIANT, 2-10V1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	69 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TK12D60U 数据手册

TK12D60U

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)

TK12D60U

Switching Regulator Applications

Unit: mm

10.0±0.3

9.5±0.2

0.6±0.1

•

Low drain-source ON-resistance: R

= 0.36 Ω (typ.)

DS (ON)

Ф3.65±0.2

High forward transfer admittance: ⎪Y ⎪ = 7.0 S (typ.)

Low leakage current: I

= 100 μA (V

= 600 V)

DSS

Enhancement mode: V = 3.0 to 5.0 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

1.1±0.15

0.75±0.25

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

0.62±0.15

Ф0.2 M

600

±30

DSS

+0.25

0.57

Gate-source voltage

GSS

2.54

-0.10

2.53±0.2

(Note 1)

Drain current

Pulse (t = 1 ms)

144

(Note 1)

1. Gate

2. Drain (heatsink)

3. Source

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Single pulse avalanche energy

JEDEC

(Note 2)

⎯

Avalanche current

(Note 3)

JEITA

Repetitive avalanche energy

Channel temperature

°C

TOSHIBA

2-10V1A

150

Weight : 1.35 g (typ.)

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor

Reliability Handbook (“Handling Precautions”/’’Derating Concept and Methods’’) and individual reliability

data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance, channel to case

Thermal resistance, channel to ambient

0.868

83.3

°C/W

th (ch-c)

th (ch-a)

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.

Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 0.84 mH, R = 25 Ω, I = 12 A

Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2009-09-29

12 3 4 5 6

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