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TK12X60U

更新时间： 2024-11-21 05:54:35

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东芝 - TOSHIBA		稳压器开关
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3页	51K
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Switching Regulator Applications

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TK12X60U 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	2-9F1C, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.38	雪崩能效等级（Eas）：	69 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.42 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK12X60U 数据手册

TK12X60U

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)

TK12X60U

Switching Regulator Applications

Unit: mm

•

Low drain-source ON resistance: R

High forward transfer admittance: ⎪Y ⎪ = 7.0 S (typ.)

= 0.36Ω (typ.)

DS (ON)

Low leakage current: I

= 100 μA (V

= 600 V)

DSS

Enhancement-mode: V = 3.0~5.0 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

600

±30

DSS

Gate-source voltage

GSS

(Note 1)

Drain current

Pulse (t = 1 ms)

100

(Note 1)

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Single pulse avalanche energy

(Note 2)

JEDEC

JEITA

⎯

Avalanche current

(Note 3)

Repetitive avalanche energy

Channel temperature

°C

TOSHIBA

2-9F1C

150

Weight : 0.74 g (typ.)

Storage temperature range

-55~150

stg

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor

Reliability Handbook (“Handling Precautions”/’’Derating Concept and Methods’’) and individual reliability

data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

1.25

Unit

Thermal resistance, channel to case

°C/W

th (ch-c)

Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.

Note 2: V = 90 V, T = 25°C (initial), L = 0.84 mH, R = 25Ω, I = 12 A

Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

2008-07-01

12 3

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