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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TK13A65U
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TK13A65U

更新时间： 2024-10-02 05:54:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 204K
描述
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)

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TK13A65U 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-67包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：86 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.38 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TK13A65U 数据手册

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TK13A65U  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)  
TK13A65U  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
2.7 ± 0.2  
10 ± 0.3  
Ф3.2 ± 0.2  
A
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
High forward transfer admittance: ⎪Y ⎪ = 8.0 S (typ.)  
= 0.32 Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (max) (V  
= 650 V)  
DSS  
DS  
Enhancement-mode: V = 3.0 to 5.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
1.14 ± 0.15  
0.69 ± 0.15  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
M A  
Ф0.2  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
2.54  
2.54  
V
V
650  
±30  
13  
V
V
DSS  
1
2
3
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
26  
40  
86  
DP  
(Note 1)  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
mJ  
(Note 2)  
JEDEC  
⎯
Avalanche current  
I
13  
4.0  
A
JEITA  
SC-67  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
TOSHIBA  
2-10U1B  
T
150  
ch  
Weight : 1.7 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods’’) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Internal Connection  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
3.125  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25 °C (initial), L = 0.9 mH, R = 25 Ω, I = 13 A  
V
DD  
1
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
3
1
2009-03-24  
123456

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