TK13A65D

更新时间： 2024-10-02 12:23:03

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东芝 - TOSHIBA		稳压器开关
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9页	232K
描述
Switching Voltage Regulators

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TK13A65D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	706 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.47 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK13A65D 数据手册

TK13A65D

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS)

TK13A65D

1. Applications

•

Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.4 Ω (typ.)

(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.5 S (typ.)

(3) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 650 V)

(4) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate (G)

2: Drain (D)

3: Source (S)

TO-220SIS

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

650

±30

(Note 1)

IDP

(Tc = 25)

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

(Note 3)

EAS

IAR

706

Repetitive avalanche energy

Channel temperature

EAR

Tch

5.0



150

Storage temperature

Tstg

-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2011-04-30

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

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