TK13H90A1

更新时间： 2024-10-02 02:59:27

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东芝 - TOSHIBA		晶体稳压器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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Swiching Regulator Applications

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TK13H90A1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	491 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.95 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	39 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TK13H90A1 数据手册

TK13H90A1

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type(MACHⅡ π-MOSIV)

TK13H90A1

Swiching Regulator Applications

Unit: mm

z Low drain−source ON resistance

z High forward transfer admittance

: R

= 0.78Ω (typ.)

DS (ON)

: |Y | = 11S (typ.)

z Low leakage current

z Enhancement mode

: I

= 100 μA (max) (V

= 720V)

DSS

: V = 2.0~4.0 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain−source voltage

Symbol

Rating

Unit

900

±30

DSS

Drain−gate voltage (R

Gate−source voltage

= 20 kΩ)

DGR

1: GATE

2: DRAIN (HEAT SINK)

3: SOURCE

GSS

DC (Note 1)

Pulse (Note 1)

Drain current

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

150

JEDEC

JEITA

―

Single pulse avalanche energy

491

(Note 2)

TOSHIBA

2-16K1A

Avalanche current

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

Weight: 3.8 g (typ.)

150

Storage temperature range

−55~150

stg

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate

reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and

Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

0.833

Unit

Thermal resistance, channel to case

°C / W

th (ch−c)

th (ch−a)

Thermal resistance, channel to

ambient

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.

Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 5.3 mH, R = 25 Ω, I = 13 A

Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.

2006-11-13

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