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TK12J55D

更新时间： 2024-11-18 18:51:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 247K
描述
TRANSISTOR 12 A, 550 V, 0.57 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-16C1B, SC-65, 3 PIN, FET General Purpose Power

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TK12J55D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SC-65包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.39雪崩能效等级（Eas）：317 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：550 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.57 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TK12J55D 数据手册

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TK12J55D  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)  
TK12J55D  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
15.9 MAX.  
Ф3.2 ± 0.2  
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 6.0 S (typ.)  
= 0.48 Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 μA (max) (V  
= 550 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 2.0 to 4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
2.0 ± 0.3  
＋0.3  
1.0  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
－0.25  
5.45 ± 0.2  
5.45 ± 0.2  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
550  
±30  
12  
V
V
DSS  
Gate-source voltage  
GSS  
1
2
3
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
1. Gate  
2. Drain(heat sink)  
3. Source  
Pulse (Note 1)  
I
48  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
190  
W
D
AS  
AR  
JEDEC  
⎯
Single pulse avalanche energy  
E
317  
mJ  
(Note 2)  
JEITA  
SC-65  
2-16C1B  
Avalanche current  
I
12  
19  
A
TOSHIBA  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Weight : 4.6 g (typ.)  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
2
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
0.658  
50  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
1
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 3.8 mH, R = 25 Ω, I = 12 A  
V
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
3
Start of commercial production  
2009-01  
1
2013-11-01  
123456

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