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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TK12A60U
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TK12A60U

更新时间： 2024-11-18 05:54:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 181K
描述
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)

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TK12A60U 技术参数

生命周期：End Of Life零件包装代码：SC-67
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.27
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：69 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TK12A60U 数据手册

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TK12A60U  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)  
TK12A60U  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance  
High forward transfer admittance  
: R  
= 0.36 Ω (typ.)  
DS (ON)  
: ⎪Y ⎪ = 7.0 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
Enhancement-mode: V = 3.0 to 5.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
th  
DS  
D
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
600  
600  
±30  
12  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Pulse (t = 1 ms)  
I
24  
35  
69  
DP  
(Note 1)  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
mJ  
(Note 2)  
JEDEC  
JEITA  
⎯
Avalanche current  
(Note 3)  
I
12  
3.5  
A
SC-67  
Repetitive avalanche energy  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
TOSHIBA  
2-10U1B  
T
150  
ch  
Weight : 1.7 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
-55 to 150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods’’) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
3.57  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 0.84 mH, R = 25 Ω, I = 12 A  
AR  
1
V
DD  
ch  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
3
1
2009-09-29  
123456

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